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AUIRS2004S
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Temperature ( C)
Temperature ( C)
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Figure 10: Deadtime vs. temperature
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Figure 11: Offset Leakage Current vs. temperature
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Temperature ( C)
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Figure 12: V CC Supply Current vs. Temperature
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Figure 13: V BS Supply Current vs. temperature
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Temperature ( C)
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Figure 14: V CCUV+ vs. temperature
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相关代理商/技术参数
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AUIRS20162STR 功能描述:IC GATE DRVR HIGH SIDE 8SOIC 制造商:infineon technologies 系列:汽车级，AEC-Q100 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 驱动配置:高压侧 通道类型:单路 驱动器数:1 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:4.4 V ~ 20 V 逻辑电压?- VIL，VIH:- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA，250mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:150V 上升/下降时间（典型值）:200ns，200ns 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:2,500
AUIRS2016S 制造商:International Rectifier 功能描述:DRIVER HIGH SIDE 8SOIC 制造商:International Rectifier 功能描述:AUIRS2016S Series 20 V 0.25 A High Side Driver with Internal Vs Recharge-SOIC-8
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AUIRS20302S 功能描述:功率驱动器IC 3-Phs Gate Drvr BLDC Mtr Drive up to 600W RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube